碳化钨(IV)粉末

碳化钨(IV)粉末名称

中文名：碳化钨粉
英文名：Tungstencarbide
中文别名：纳米碳化钨|碳化钨(IV)粉末|纳米碳化钨(IV)粉|碳化钨(IV)
英文别名：更多

碳化钨(IV)粉末物理化学性质

密度：15.63g/cm3
沸点：6000ºC
熔点：2870ºC
分子式：CW
分子量：195.851
精确质量：195.950897
LogP：0.08130
外观性状：灰色至黑色粉末
储存条件：

应贮存在阴凉、干燥的库房中，运输中要注意包装容器完好，防雨淋和防日光曝晒

稳定性：

常温常压下稳定

避免的物料氧化物.溶于硝酸与氢氟酸的混酸和王水中，不溶于冷水。相对密度d181563。耐酸性强。硬度高。弹性模量大。

灰色带有金属光泽的粉末，含理论结合碳为6.13%（质量分数）。耐酸性强［108］。属于六方晶系，a=0.2900nm，c=0.2831nm。密度15.7g/cm3、微维氏硬度（负荷50g）为2080kg/mm2。很硬、弹性率也大（72700kg/mm2）。熔点虽高（据记载有2600℃，也有2870℃，因为熔融时发生分解所以不准确），但因形成蒸气压高的多孔性氧化物，故耐酸性下降。沸点6000℃，不溶于冷水，溶于HNO3和HF的混合酸中。

水溶解性：Solubleinnitricacidandhydrofluroicacid.Insolubleinwater.
分子结构：

1、摩尔折射率：无可用的

2、摩尔体积（cm3/mol）：无可用的

3、等张比容（90.2K）：无可用的

4、表面张力（dyne/cm）：无可用的

5、介电常数：无可用的

6、极化率（10-24cm3）：无可用的

7、单一同位素质量：195.9509Da

8、标称质量：196Da

9、平均质量：195.8507Da

计算化学：

1.疏水参数计算参考值（XlogP）:无

2.氢键供体数量:0

3.氢键受体数量:1

4.可旋转化学键数量:0

5.互变异构体数量:无

6.拓扑分子极性表面积0

7.重原子数量:2

8.表面电荷:0

9.复杂度:10

10.同位素原子数量:0

11.确定原子立构中心数量:0

12.不确定原子立构中心数量:0

13.确定化学键立构中心数量:0

14.不确定化学键立构中心数量:0

15.共价键单元数量:1

更多：

1.性状：灰色带有金属光泽的粉末。

2.密度（g/mL,18℃）：15.63

3.相对蒸汽密度（g/mL,空气=1）：未确定

4.熔点（ºC）：2870

5.沸点（ºC,常压）：6000

6.沸点（ºC，1mmHg）：未确定

7.折射率：未确定

8.闪点（ºC）：未确定

9.比旋光度（º）：未确定

10.自燃点或引燃温度（ºC）：未确定

11.蒸气压（20ºC）：未确定

12.饱和蒸气压（kPa,60ºC）：未确定

13.燃烧热（KJ/mol）：未确定

14.临界温度（ºC）：未确定

15.临界压力（KPa）：未确定

16.油水（辛醇/水）分配系数的对数值：未确定

17.爆炸上限（%,V/V）：未确定

18.爆炸下限（%,V/V）：未确定

19.溶解性：不溶于水，溶于硝酸和氢氟酸的混合液和王水。

20.莫氏硬度：9

碳化钨(IV)粉末MSDS

：碳化钨(IV)粉末MSDS英文版

碳化钨(IV)粉末毒性和生态

：

碳化钨(IV)粉末毒理学数据:

1.致突变数据：人类白细胞微核测试，50mg/L；钨粉尘能引起支气管周炎、细支气管周炎、闭锁性细支气管炎和萎缩性气肿。碳化钨会引起肺脏的淋巴组织细胞的增生性反应，并逐渐出现硬化。血管壁增厚并均匀化。工作中接触碳化钨粉尘的人员胃肠道功能紊乱，肾受到刺激，上呼吸道出现卡他性炎症。

碳化钨(IV)粉末生态学数据:

通常对水是不危害的，若无政府许可，勿将材料排入周围环境。

碳化钨(IV)粉末毒性英文版

碳化钨(IV)粉末安全信息

个人防护装备：Eyeshields;Gloves;typeN95(US);typeP1(EN143)respiratorfilter
危害码(欧洲)：T
风险声明(欧洲)：R23
安全声明(欧洲)：22-24/25
危险品运输编码：UN3178
WGK德国：-
RTECS号：YO7250000
包装等级：III
危险类别：4.1

碳化钨(IV)粉末制备

1.以金属钨和炭为原料，将平均粒径为3～5μm的钨粉与等物质的量的炭黑用球磨机干混，充分混合后，加压成型后放入石墨盘，再在石墨电阻炉或感应电炉中加热至1400～1700℃，最好控制在1550～1650℃。在氢气流中，最初生成W2C，继续在高温下反应生成WC。或者首先将六羰基钨［W(CO)6］在650～1000℃、CO气氛中热分解制得钨粉，然后与一氧化碳于1150℃反应得到WC，温度高于该温度可生成W2C。

2.将三氧化钨WO3加氢还原制得钨粉（平均粒度3～5μm）。再把钨粉与炭黑按等摩尔比的混合物（用球磨机干混约10h），在1t/cm2左右的压力下加压成型。将该加压成型料块放进石墨盘或坩埚内，用石墨电阻炉或感应电炉在氢气流中（使用露点为-35℃的纯氢）加热至1400～1700℃（最好是1550～1650℃），使之渗碳则生成WC。反应从钨粒周围开始进行，因为在反应初期生成W2C，由于反应不完全（主要是反应温度低）除WC之外尚残存有未反应的W及中间产物W2C。所以必须加热到上述高温。应该根据原料钨的粒度大小来确定最高温度。如平均粒度为150μm左右的粗粒，则在1550～1650℃的高温下进行反应。

制备WC的反应装置如下：

图VI-7气相分解法的制备WC的反应装置

1—柱塞；2—阀门；3—CO气；4—电炉；5—石英粒；6—不锈钢罐；7—瓷反应管

2.气相分解法。这是将六羰基钨W（CO）6经热分解制得钨粉。然后用一氧化碳气进行渗碳而制备WC的方法。本法的特点在于：不需要制法1那样的高温，而是用比较简单的反应装置并在低温（1150℃）下就能容易制得WC。如图Ⅵ7所示。将填充石英等颗粒的不锈钢罐装到立式瓷制反应管中，在CO气流中，将W（CO）6迅速加热到分解温度，首先得到钨粉。此时，即使把分解温度从650℃升到1000℃，所产生的钨粉大小几乎不变。用约1mm的W（CO）6结晶，可制得6～10μm的钨粉。从W变成WC，可接着使用如图所示装置，在CO气流中，于1150℃下保持1h就可以了。如果温度再升高，由于生成含碳少的W2C，所以加热时需要加以注意。

碳化钨(IV)粉末文献35

更多文献：Superficialroughnessoncompositesurface,compositeenamelandcompositedentinjunctionsafterdifferentfinishingandpolishingprocedures.PartI:roughnessaftertreatmentswithtungstencarbidevsdiamondburs.

Int.J.Esthet.Dent.9(1),70-89,(2014)

Theaimofthisstudyistoinvestigatedifferentinstrumentsforfinishingcompositerestorations,aswellasexaminingdifferentsurfacesandinterfacesofthesamerestoration.Thenullhypothesis…

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：ComparisonofmicroleakageofdifferentmargintypesaroundClassVresinrestorationsinprimaryteeth.

Eur.J.Paediatr.Dent.14(3),246-51,(2013)

Thisinvitrostudycomparedtheeffectofaconcavewithastraight-bevelledcavitymarginonthemicroleakageofClassVcompositeresinrestorationsinprimaryteeth.StandardisedClassVcavitypre…

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：Qualitativeandquantitativeevaluationofenamelaftervariouspost-strippingpolishingmethods:aninvitrostudy.

Aust.Orthod.J.28(2),240-4,(2012)

Thepurposeofthisstudywastoevaluatetheultramorphologyandsurfaceroughnessofpermanenttoothenamelaftervariouspost-strippingpolishingmethods.Sixtyextracted,permanentlowerincisorsw…

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碳化钨(IV)粉末英文别名

：methanidylidynetungsten(1+)
：TungstenmonocarbideWolframcarbide
：Tungstencarbide(WC)
：Tungstenmonocarbide,Wolframcarbide
：EINECS235-123-0
：TungstenCarbide
：MFCD00011464

碳化钨(IV)粉末重点介绍

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膜系的特性取决于构成膜系的材料。比如，氧化物层一般比氟化物、硫化物或半导体层硬得多，因而，氧化物层适合于在外表面使用。 在温度范围很宽的情况下，滤光片应避免使用半导体膜层，因为半导体的光学常数随温度变化很大。对于某些金属材料，由于强度很低，易造成损伤，暴露在大气中，也容易氧化。

TanHuaWu(IV)FenMo

碳化鎢(IV)粉末